无线电技术导论第三章电子器.pptxVIP

第三章 电子器件序 ■导体、绝缘体、半导体 ■半导体器件第一节 半导体二极管 ■半导体二极管的工作特性 ■半导体二极管的电压和电流关系 ■半导体二极管的种类及其主要特性参数与常用电路 ■半导体二极管的种类与选用第二节 半导体三极管 ■半导体三极管的工作特性 ■半导体三极管常用电路 ■半导体三极管的种类与选用第一页，共四十页。 序 一. 导体、绝缘体、半导体 物质按照导电能力的大小分为导体、绝缘体和半导体。 导体 具有良好导电能力的物质。 其电阻率在10-6~10-1欧姆·厘米(Ω · cm)。 例如,金属。银铜铝的电阻率为10-6~10-5 Ω·cm 绝缘体 导电能力能力很差或不能导电的物质。 其电阻率一般大于106~1018欧姆·厘米(Ω · cm)。 例如,玻璃、塑料、陶瓷,其电阻率大于109 Ω·cm 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 其电阻率在10-3~109欧姆·厘米(Ω · cm)。 例如, 硅, 其电阻率为2.14×105Ω·cm 第二页，共四十页。 二. 半导体的特点 半导体不仅在于其电阻率与导体和绝缘体的在数值上差别,而且在于其导电性具有两个显著的特点: 电阻率受杂质的影响极大 在半导体中掺入杂质，其电阻率会显著下降。 例如, 硅(Si)中含有亿分之一的硼(B), 其电阻率会下降 到2.14×103Ω·cm, 比无杂质的纯硅降低100倍。 如果半导体所含杂质的类型不同,其导电类型也不同。 电阻率受外界条件(如热、光等)的影响很大 温度升高或受光照射时,半导体的电阻率会迅速下降。 第三页，共四十页。 三. 半导体的类型 按化学成分 可分为元素半导体和化合物半导体; ■元素半导体 由单一元素组成的半导体材料 例如：Si，Ge 均为常用的元素半导体 ■化合物半导体 由化合物组成的半导体材料 例如： GaAs，GaP 均为常用的化合物半导体 无论是元素半导体还是化合物半导体 按含否杂质 可分为本征半导体和非本征半导体; ▲本征半导体 不含杂质、无缺陷的半导体材料。 ▲非本征半导体 掺杂质、有缺陷的半导体材料， 这种半导体材料按导电类型分为N型和P型半导体 N型半导体 以电子为多数载流子的半导体材料 P型半导体 以空穴为多数载流子的半导体材料第四页，共四十页。 四. 本征半导体的原子结构 原子由带正电的原子核和带等量负电的核外电子组成。原子呈电中性。电子分列在不同的壳层上绕原子核运动。每壳层轨道上分列的最大电子数为2n2(n是壳层数)。内层电子受原子核的吸引力大于外层电子。最外层电子为价电子,容易脱离原子核的束缚，成为自由电子。根据泡利不相容原理,1s层最多容纳的电子数:22s层最多容纳的电子数:22p层最多容纳的电子数:63s层最多容纳的电子数:23p层最多容纳的电子数:63d层最多容纳的电子数:10硅原子有14个电子,分列在1s,2s,2p,3s,3p层上,3层没满只有4个电子,所以硅有4个价电子,为四价元素。第五页，共四十页。 五.N型半导体与P型半导体本征半导体由于其原子外层电子的热运动, 存在成对产生的自由电子和空穴, 在温度t下, 自由电子和空穴对的产生与复合会达到动态平衡, 数量有限而且是t的函数。因此, 本征半导体导电性能低。根据半导体的一个显著特点：在半导体中掺入杂质，其电阻率会显著下降。因此，通过在半导体中掺入一定量的杂质，可以获得满足导电性要求(电阻率,导电载流子类型)的半导体材料。1. N型半导体例如，在Si本征半导体材料中掺入五价元素磷(P), P原子贡献出1个自由电子。因此, P原子被称作施主。Si半导体材料中自由电子数量取决于掺入的P原子数量(掺杂浓度), 其多数载流子是P原子贡献的自由电子。掺入P的Si半导体为N型半导体。第六页，共四十页。 2.P型半导体例如，在Si本征半导体材料中掺入三价硼(B), B原子空出1个空 穴。因此, B原子被称作受主。Si半导体材料中空穴数量取决于掺入的B原子数量(掺杂浓度)。Si半导体多数载流子是B原子空出的空穴。掺入B的Si半导体为P型半导体。第七页，共四十页。 六. 半导体器件 采用半导体材料制造的器件, 统称为半导体器件。其种类繁多,通常