1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约5.94千字
  • 约 6页
  • 2023-02-16 发布于四川
  • 举报

一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜.pdf

    本实用新型公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜，属于半导体制备技术领域。本实用新型所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本实用新型所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212609552 U (45)授权公告日 2021.02.26 (21)申请号 202021442683.3 B81B 7/02 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >