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在此公开了一种集成电路，包括：半导体衬底；电容器，包括：衬底中的第一阱，形成电容器第一板；垂直延伸到第一阱中的第一沟槽，其包括通过第一绝缘层与第一阱绝缘的第一中心导体；衬底第一阱上的顶表面上有第一厚度的第二绝缘层；和第二绝缘层上的电连接第一中心导体的第一导电材料层，其和第一中心导体形成电容器第二板；和存储器单元，包括：衬底中的第二阱；垂直延伸到第二阱中的第二沟槽，其包括通过第三绝缘层与第二阱绝缘的第二中心导体，其形成存储器单元的存取晶体管的栅极电极；衬底第二阱上的顶表面上的第四绝缘层，其有小于第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212676238 U
(45)授权公告日 2021.03.09
(21)申请号 202021750350.7 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(22)申请日 2020
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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