《数字电子技术理实一体化教程》全套PPT课件.pptx

1.1 概述 1.2 二极管、晶体管的开关特性 1.3 最简单的门电路 1.1 概述 在电子电路中，用高、低电平分别表示二值逻辑的1和0两种逻辑状态。 开关S是用半导体二极管或晶体管组成 门电路：用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。常用的门电路：与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。获得高、低 电平的基本原理1.1 概述正逻辑：以输出的高电平表示逻辑1，以低电平表示逻辑0。负逻辑：以输出的高电平表示0，而以低电平表示1。 负逻辑 正逻辑 1.2 二极管、晶体管的开关特性 一、二极管开关特性 由于二极管具有单向导电性，即外加正电电压时导通，外加反向电压时截止，所以它相当于一个受外加电压极性控制的开关。 当输入信号为高电平uI=UIH=VCC时，二极管截止，输出为高电平uO=UOH=VCC，当输入为低电平uI=UIL=0V时，二极管导通，输出为低电平uO=UOL≈0。因此，可以用uI的高、低电平控制二极管的开关状态，并在输出端得到相应的高、低电平输出信号。 二极管开关电路 1.2 二极管、晶体管的开关特性 二、双极型晶体管开关特性 从晶体管的工作原理和特性曲线可知，晶体管可以工作在放大、截止、饱和三个工作区。在开关电路中，晶体管是在截止和饱和两种工作区间转换。 当基极控制电压uI≤0时，uBE ≤0，iB≈0，三极管工作于截止区，其集电极到发射极之间如同断开的开关一样，此时输出电压uO=UOH=VCC。当uI为正(高电平)时，只要参数安排适当，使iB≥IBS（IBS为三极管的临界饱和基极电流），则发射结和集电结同为正向偏置，三极管工作于饱和区，iC不随iB的增加而增加，此时，集电极和发射极间的饱和压降UCE(sat)≈0，如同开关闭合一样，输出电压uO=UOL≈0。双极型晶体管开关电路 1.2 二极管、晶体管的开关特性 三、MOS管的开关特性 当uI=uGS＜UGS(th)时，MOS管工作在截止区。输出端输出为高电平uO=UOH=VDD。这时MOS管的D-S间相当于一个断开的开关。当uI=uGS＞UGS(th)且uDS较小的情况下，MOS管工作在可变电阻区。输出端输出为低电平uO=UOL≈0。这时MOS管的D-S间相当于一个闭合的开关。MOS管的基本开关电路 只要电路参数选择的合理，就可以做到输入为低电平时MOS管截止，开关电路输出高电平；而输入为高电平时MOS管导通，开关电路输出低电平。1.3 最简单的门电路1、二极管与门 与门电路：输入变量和输出变量之间满足与逻辑关系的电路。 逻辑符号 与门电路 设VCC=5V，A、B输入端的高、低电平分别为VIH =3V，VIL=0V，二极管D1、D2的正向导通压降为0.7V。由图可见，A、B当中只要有一个是低电平0V，则必有一个二极管导通，使Y为0.7V。只有A、B同时为高电平3V时，Y才为3.7V。 1.3 最简单的门电路1、二极管与门 与门电路：输入变量和输出变量之间满足与逻辑关系的电路。 与门电路 与门电平关系表VA（V)VB （V)VY （V)003303030.70.70.73.7逻辑符号 1.3 最简单的门电路1、二极管与门 在数字电路中，为了研究电路的逻辑功能，往往只注意输入与输出之间的逻辑关系。如果规定3V以上为高电平，用逻辑1状态表示；0.7V以下为低电平，用逻辑0状态表示，则可列出真值表。二极管与门电路的真值表ABY001101010001 显然，Y和A、B是与逻辑关系。 1.3 最简单的门电路2、二极管或门 或门电路：输入变量和输出变量之间满足或逻辑关系的电路 。 逻辑符号 或门电路 若输入的高、低电平分别为VIH =3V，VIL=0V，二极管D1、D2的正向导通压降为0.7V。则只要A、B当中有一个是高电平，输出就是2.3V。只有当A、B同时为低电平时，输出才是0V。 1.3 最简单的门电路2、二极管或门 或门电路：输入变量和输出变量之间满足或逻辑关系的电路 。 或门电路 或门电平关系表VA （V)VB （V)VY （V)0033030302.32.32.3逻辑符号 1.3 最简单的门电路2、二极管或门 如果规定高于2.3V为高电平，用逻辑1表示；而低于0V为低电平，用逻辑0表示，则可列出电路的真值表， 二极管或门电路的真值表ABY001101010111 显然，Y和A、B是或逻辑关系。 1.3 最简单的门电路3、晶体管非门 非门电路（反相器）：能实现非逻辑关系的单元电路 。 逻辑符号 非门电路 由于接入了电阻R2和负电源VEE，即使输入的低电平信号稍大于零，也能使三极管的基极为负电位，从而使三极管能可靠地截止，输出为高电平。当输入信号为高电平时，若电路参数选择合适，即保证提供给三极管的基极