晶体的结构缺陷精简.pptxVIP

第三节 晶体结构缺陷Imperfections in crystalsW样品的场离子(Field ion)显微分析照片第一页，共五十九页。学 习 内 容1、点缺陷2、固溶体3、非化学计量化合物4、固溶体的研究方法5、线缺陷（位错）第二页，共五十九页。Now What Do You See?InterstitialVacancy第三页，共五十九页。缺 陷 种 类 Imperfections, Defects 1、点缺陷（Point defects）：最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列。在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、几个原子间距，又称零维缺陷。包括空位、间隙原子、杂质、溶质原子等。2、线缺陷（Linear defects）：在一个方向上的缺陷扩展很大，其它两个方向上尺寸很小，也称为一维缺陷。主要为位错。3、面缺陷（Interfacial defects）：在两个方向上的缺陷扩展很大，其它一个方向上尺寸很小，也称为二维缺陷。包括晶界、相界、孪晶界、堆垛层错等。第四页，共五十九页。一 点缺陷Point Defects热缺陷分类：1）晶格位置缺陷（热缺陷） 正常位置上的结点未出现原子，形成空位,本来不该有的地方出现了原子，称为填隙原子。 形成原因：热起伏（主要是温度变化）2）组成缺陷（杂质缺陷） 外来杂质进入晶格中。 形成原因：杂质引起3）电子缺陷（非化学计量化合物）晶体中某些个别电子处于激发态，离开原来位置形成自由电子 形成原因：气氛杂质缺陷第五页，共五十九页。1 热缺陷种类肖特基（Schottky）空位：原子迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置，使晶体内部留下空位。弗伦克尔（Frenkel）缺陷：在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子。第六页，共五十九页。两种缺陷特点：（1）两种离子半径相差不大时形成肖特基缺陷，相差加大时形成弗伦克耳缺陷。（2）弗伦克耳缺陷体积不变，肖特基缺陷体积变大。第七页，共五十九页。缺陷浓度无论是弗伦克耳缺陷还是肖特基缺陷浓度均为下式：C = ns/N = = exp[-E/(2kT)]影响缺陷浓度的主要因素:温度和缺陷形成能。例如：NaCl晶体重形成间隙质点能量为11.22~12.98×10-19J，而形成一个肖特基缺陷的能量只需3.20×10-19J。所以在NaCl晶体中，肖特基缺陷要比弗伦克耳缺陷多得多。注意：（1）在晶体中两种缺陷往往同时存在，只不过一种为主。（2）缺陷形成能的数据由实验结果得到，因此数据不全。第八页，共五十九页。2. 点缺陷的表示方法本节介绍以下内容：一、点缺陷的符号表征：Kroger-Vink符号 二、缺陷反应方程式的写法第九页，共五十九页。阳离子空位阴离子空位 X M X M X M X M X X M M X L X M X M X M X M X M X M X M X M X M X M X X M M X M X M X M X M X M X M X M I间隙杂质原子间隙阳离子M错位原子XM第十页，共五十九页。一、点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号以MX型化合物为例： 1.正常结点的离子：用MM和XX表示。2.空位（vacancy）用V来表示，符号中的右下标表示缺陷所在位置，VM含义即M原子位置是空的。3.间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用Mi、Xi来表示，其含义为M、X原子位于晶格间隙位置。4. 错位原子 错位原子用MX、XM等表示，MX的含义是M原子占据X原子的位置。XM表示X原子占据M原子的位置。 第十一页，共五十九页。5. 取代离子： 当外来杂质L进入MX晶体的主晶格位置时，成为取代离子，若占据M的位置则表示为LM，若进入间隙位置则表示为Li，若取代负离子位置，则表示为LX。6. 自由电子（electron）与电子空穴 (hole）　分别用e，和h ·来表示。其中右上标中的一撇“”代表一个单位负电荷，一个圆点“ · ”代表一个单位正电荷。 第十二页，共五十九页。 7.带电缺陷 　在NaCl晶体中，取出一个Na+离子，会在原来的位置上留下一个电子e，写成VNa，即代表Na+离子空位，带一个单位负电荷。 同理，Cl－离子空位记为VCl · ，带一个单位正电荷。 即：VNa=VNa＋e，VCl · =VCl＋h·。 第十三页，共五十九页。【例】NaCl晶体中可能出现的点缺陷：Na+格点位置的空位，表示为 。由于Na+的缺失，该空位缺陷的有效电荷数是0? (+1) = ?1，所以上标是一小撇。Cl?格点位置的空位，表示为 。Cl?的缺失而出现的空位缺陷的有效电荷数是0? (?1) = +1，所以上标是一小圆点。Na+处于间隙位置，表示为