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一种碳化硅MPS器件.pdfVIP

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  • 2023-02-20 发布于四川
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一种碳化硅MPS器件.pdf

    本实用新型涉及一种碳化硅MPS器件，包括SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层；有源区设置大致两种规格的P型区，表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖第二欧姆接触金属层，第二欧姆接触金属层位于第一P型区与肖特基金属层之间；表面面积较小、较细狭的第二P型区表面不设第二欧姆接触金属层。在小电流的条件下，电流从有源区的N型区通过；在大电流的条件下，二极管的正向电压升高，第一P型区表面覆盖欧姆接触形成的PiN二极管势垒开启，电流可以从该区域通过，从而提升二极管的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212725323 U (45)授权公告日 2021.03.16 (21)申请号 202021269885.2 (22)申请日 2020.07.01 (73)专利权人 厦门市三安集成电路有限公司

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