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垂直功率MOSFET半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-02-20 发布于四川
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垂直功率MOSFET半导体器件.pdf

    本实用新型公开一种垂直功率MOSFET半导体器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区；一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间填充有第二二氧化硅层；相邻所述MOS器件单胞之间的中掺杂P型基极区内具有一N掺杂深阱部。本实用新型

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212725320 U (45)授权公告日 2021.03.16 (21)申请号 202021217034.3 (22)申请日 2020.06.28 (73)专利权人 苏

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