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- 2023-02-21 发布于四川
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本实用新型涉及一种晶片镀膜装置,晶体制备技术领域。解决的是现有的晶片镀膜后转移加热过程中易被污染的问题。包括真空壳体、旋转真空装置、加热器和雾化喷嘴,真空壳体的顶部安装有雾化喷嘴,真空壳体的侧壁上均布有加热器,真空壳体下侧安装有旋转真空装置,旋转真空装置包括旋转托盘、外部支撑轴和真空管,旋转托盘与外部支撑轴连接,真空管安装在外部支撑轴侧面,外部支撑轴上加工有真空通道,旋转托盘圆心位置加工有通孔,通孔通过真空通道与真空管连通。箱体内部四周分布的加热器可直接进行加热,对光刻胶进行坚膜,无需进行移动,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212732748 U
(45)授权公告日 2021.03.19
(21)申请号 202021543720.X B05D 3/04 (2006.01)
(22)申请日 20
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