原创力文档- 1
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- 2023-02-21 发布于四川
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本实用新型公开了一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机。旨在解决现有技术中存在的远场CMOS相机在真空环境下，其内部的CMOS传感器工作温度接近70度，容易导致远场CMOS相机整机性能严重恶化的技术问题，本实用新型包括机身和前盖板，以及在机身和前盖板之间形成的安装腔，安装腔内设有与前盖板平行的CMOS板，CMOS板上设有CMOS传感器和多个元器件；还包括设置于安装腔内且位于前盖板与CMOS板之间的导热垫；导热垫上设有让位孔；CMOS传感器安装于CMOS板上靠近导热垫的一侧，且位于让位孔内，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212752385 U
(45)授权公告日 2021.03.19
(21)申请号 202021459796.4
(22)申请日 2020.07.22
(73)专利权人 中国科学院西安光学精密机械研
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