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- 2023-02-21 发布于四川
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本实用新型属于半导体器件技术领域,涉及一种紫外LED外延结构及光源器件,该紫外LED外延结构包括衬底基材以及依次层叠设置于所述衬底基材顶面上的n型电流扩展层、有源发光结构和p型电流扩展层;其中,所述衬底基材包括合金材质的衬底层。该紫外LED外延结构及光源器件提供的技术方案具有结构简单、生产成本低、综合力学性能好、晶格缺陷小、强度高、硬度大、导热性好、热膨胀系数小的特点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212750914 U
(45)授权公告日 2021.03.19
(21)申请号 202021692921.6
(22)申请日 2020.08.12
(73)专利权人 深圳市光脉电子有限公司
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