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- 2023-02-21 发布于四川
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在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置，包括从前至后依次串联的进口预抽室、进口过渡室、至少一个氧化室、至少一个工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室、出口室，任意相邻的两个腔室之间的连接处均设有真空隔离插板阀，进口预抽室、出口室的分别设有翻板阀，进口预抽室和出口室上连接有真空泵，进口过渡室、氧化室、工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室上均连接有涡轮分子泵，氧化室上连接有低能氧离子源，工作室内设有硅靶和气态原位掺杂源，回火室内的前部设有红外加热源、后部设有紫外激光回火系统。使用时将硅片放在石墨托盘上依
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212750913 U
(45)授权公告日 2021.03.19
(21)申请号 202021625682.2
(22)申请日 2020.08.06
(73)专利权人 普乐（合肥）光技术有限公司
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