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- 2023-02-21 发布于四川
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本实用新型公开了一种介电陶瓷元件。该介电陶瓷元件具有多层金属镀覆层,在所述多层金属镀覆层的协同作用下,该介电陶瓷元件的插损低,满足高频通讯信号的技术要求,并且解决了现有技术中使用在陶瓷表面沉积厚银工艺所带来的成本高的问题。同时本实用新型的介电陶瓷元件的基底与金属层的结合力强,Q值高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212741167 U
(45)授权公告日 2021.03.19
(21)申请号 202021197894.5 H01P 1/20 (2006.01)
(22)申请日 20
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