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- 2023-02-22 发布于四川
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本实用新型涉及光通信领域，具体涉及一种高带宽和低反射的同轴光发射器件。一种高带宽和低反射的同轴光发射器件，包括同轴线型阻抗控制构造、共面波导微带线型阻抗控制构造以及二者之间的连接部分构造，所述连接部分构造包括金线键合信号路径和金线键合接地回路，金线键合信号路径位于金线键合接地回路内，金线键合接地回路将金线键合信号路径上高速信号所产生的电磁场束缚在起内部。本实用新型的连接部分构造可将在金线键合信号路径上传递的高速信号所产生的电磁场束缚在接地回路内，可以减少电磁场能量的外泄，并且能够在不增加零件的情
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212781373 U
(45)授权公告日 2021.03.23
(21)申请号 202021292540.9
(22)申请日 2020.07.06
(73)专利权人 大连藏龙光电子科技有限公司
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