原创力文档- 3
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- 2023-02-22 发布于四川
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本实用新型公开了一种高质量大直径SiC单晶的制备装置，属于SiC晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、加热装置和多孔石墨桶；其中，所述坩埚位于保温层内；所述加热装置位于所述保温层的外侧；籽晶和所述多孔石墨桶位于坩埚内，与坩埚同轴；本实用新型SiC生长组分采用从坩埚外侧的原料到内侧的籽晶的输运方式，晶体生长的过程就是自然扩径过程，晶体直径扩大不受限制，同时晶体沿非极性生长面生长，穿透位错密度相比沿C轴生长大大降低；挨着坩埚壁而受热碳化的SiC原料产生的C颗粒被内侧的SiC原料和多孔石墨层有效阻挡，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212771047 U
(45)授权公告日 2021.03.23
(21)申请号 202021499230.4
(22)申请日 2020.07.27
(73)专利权人 河北同光科技发展有限公司
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