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本实用新型公开一种带镀镍结构的压接式IGBT封装结构，包括顶盖、顶环结构、第一凹槽、集电极引脚、密封圈、中环结构、插槽、栅极引脚、发射极引脚、第二凹槽、底环结构、壳底。有益效果：本实用新型的集电极引脚、栅极引脚和发射极引脚均为镀镍结构件，镀镍结构件极耐磨损，能够有效提高集电极引脚、栅极引脚和发射极引脚的使用寿命；本实用新型的集电极引脚、栅极引脚和发射极引脚均为可拆卸结构件，当集电极引脚、栅极引脚、发射极引脚出现损坏后，可以直接跟换损坏件，从而有效延长了IGBT封装结构的使用寿命，大大降低了使用者
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212750871 U
(45)授权公告日 2021.03.19
(21)申请号 202022320781.6
(22)申请日 2020.10.19
(73)专利权人 常州宝韵电子科技有限公司
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
用户编号：8063122115000010
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