2022-2023射频功率放大器行业市场分析与趋势分析报告.pptx

2022-2023射频功率放大器行业市场分析与趋势分析报告汇报人：李世杰汇报时间：2022-12-21行业发展概述目录行业环境分析0102CONTENTS行业规模及格局0304行业现状分析行业未来发展05行业发展概述01行业定义什么是射频功率放大器射频功率放大器定义:射频功率放大器是射频前端模组的重要器件，负责将发射通道的射频信号放大。射频发收器中调制振荡电路所产生的射频信号功率较小，需经过一系列的放大（缓冲放大器、可控放大器、末级放大器）获得足够的射频功率后，传输至天线上。射频功率放大器主要应用于手机终端、通信基站、物联网设备、军事气象雷达等领域。本篇报告主要研究射频功率放大器在手机及基站中的应用。射频功率放大器指标包括带宽、输出功率、效率、线性度及功率增益。输出功率与效率为射频功率放大器核心技术指标，提高输出功率和效率是射频功率放大器重要设计目标。每一次通信技术的升级都对射频功率放大器的性能提出更高要求。除功率及效率，5G基站系统对射频功率放大器的线度性提出更高要求，避免产生非线性失真而干扰邻近信道，确保信号输出的质量。此外，随着对频谱的不断利用开发，频谱资源稀缺。为在有限频段内容纳更大可用信道，5G通信技术采用毫米波段等高频段解决频谱拥挤问题，对功率放大器的最高工作频率和带宽提出更高要求。不同射频功率放大器存在半导体材料与晶体管制造工艺结构的差异。射频半导体材料由第一代发展至第三代，而晶体管制造工艺结构由基础的BJT、FEF向更复杂的HBT、LDMOS和HEMT发展。第一代半导体材料:包括Si和Ge，采用的晶体管制造工艺为BJT。全球Si材料存储量丰富，且具有耐高温、稳定性高、成本低等优势。但Si材料电子迁移率低，导致SiBJT仅能在低频环境下工作，仅在不超过5GHz的频率范围内有效。第二代半导体材料:包括GaAs和InP等化合物，具有高饱和电子速度和高电子迁移率特性，因此基于这些材料的射频功率放大器可在高频波段上工作，且具有抗辐射性、低噪声、高线性度性能。跟随第二代半导体材料发展的晶体管制造工艺包括MESFET、HEMT、PHEMT和HBT。第二代半导体材料制造的功率放大器功率不能满足宏基站的需求。第三代半导体材料:包括SiC、GaN等化合物，具有更高的电子迁移率。GaN制造的射频功率放大器可具有高功率、高增益、高效率、高工作频率等优势，且拥有较好的散热性、耐高温、抗辐射。第三代半导体晶体管的制造工艺主要为HEMT。行业发展历程功率放大器主要经历了发展初期、平稳过渡阶段蓬勃发展阶段这三个发展阶段。