一种硅通孔结构.pdfVIP

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2023-02-23 发布于四川
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一种硅通孔结构.pdf

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一种硅通孔结构，包括，晶圆，所述晶圆中形成有芯片及电连接部，所述电连接部与所述芯片电连接；所述晶圆中设置有通孔，所述通孔位于所述电连接部上；所述通孔表面及所述晶圆表面设置有导电层，所述导电层与所述电连接部连接，所述芯片通过所述导电层、电连接部与外部电气连接；所述导电层与所述晶圆表面之间设置有结合块，所述结合块与所述导电层、晶圆之间的结合力大于所述导电层与所述晶圆表面之间的结合力。本申请的硅通孔结构，增强了硅晶圆和导电层之间的结合力，避免硅片和导电层之间出现分层现象，从而提高芯片可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218513453 U (45)授权公告日 2023.02.21 (21)申请号 202222744203.4 (22)申请日 2022.10.18 (73)专利权人上海安其威微电子科技有限公司地址