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- 2023-02-27 发布于北京
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本实用新型提供一种MOS管半桥安装结构，属于半导体安装技术领域，包括：多个MOS管安装于腔体底部平面上，沿腔体底部平面的两个长边均匀分布；多个电极板堆叠安装于腔体底部平面的长轴上，形成堆叠电极组；PCB板安装于腔体底部平面的任一短边上，包括多个电极；隔离部件分别位于多个MOS管与腔体底部平面之间、每个电极板堆叠面之间以及堆叠电极组地面与腔体底部平面之间；安装部件依次贯穿于多个MOS管、隔离部件和腔体底部平面，并依次贯穿于堆叠电极组、隔离部件和腔体底部平面。本实用新型通过将MOS管的半桥上管和半桥
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218525579 U
(45)授权公告日 2023.02.24
(21)申请号 202222685845.1 H05K 1/18 (2006.01)
(22)申请日 2022.10.1
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