2023年刻蚀设备行业现状与投资分析报告.pptx

汇报人：徐伟纶日期：2022-12-212023-2025年刻蚀设备行业现状与投资分析报告 2目 录行业环境分析02行业格局及趋势04行业发展概述01行业现状分析03 3行业发展概述行业定义行业发展历程行业产业链01Part One 行业定义刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除（光刻胶）开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层，通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉，从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。湿法刻蚀:用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在3um以后由于线宽控制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和残留物的清洗。干法刻蚀:常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离子，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。刻蚀主要参数:刻蚀速率、均匀性、选择比（对不同材料的刻蚀速率比）、刻蚀坡面（各向异性、各向同性）。应用最广泛的刻蚀设备是ICP与CCP，技术发展方向是原子层刻蚀（ALE）。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低，主要用于介质材料刻蚀（形成上层线路）——诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等，以及3D闪存芯片工艺（氮化硅/氧