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- 2023-02-27 发布于四川
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本实用新型涉及一种复合衬底结构,其中,复合衬底包括低阻衬底层和高阻衬底层,用于生长氮化镓外延;其中,位于底部且较厚的低阻衬底层,可增加复合衬底的机械强度,可减小高温异质外延生长中,外延片的翘曲,从而获得更厚的氮化镓基薄膜,提高薄膜晶体质量,改善器件的特性;并可降低外延片表面温差,从而改善外延片均匀性;高阻衬底层作为氮化镓外延的基板和射频器件的最终支撑层,可保证氮化镓器件的射频特性。本实用新型实施为复合硅衬底时,可利用离子注入的方式对一定厚度的高阻衬底层进行转性,形成相应厚度的低阻层,部分增强高阻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212991102 U
(45)授权公告日 2021.04.16
(21)申请号 202022144764.1
(22)申请日 2020.09.25
(73)专利权人 厦门市三安集成电路有限公司
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