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- 2023-03-02 发布于北京
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本实用新型公开了一种LED芯片结构，包括主二极管D1，所述主二极管D1上设有金属电极P1和金属电极N1；所述主二极管D1正向设置；还包括反向二极管D2和电阻R1，所述反向二极管D2和所述电阻R1串联后与所述主二极管D1并联。进一步地，所述反向二极管D2上设有金属电极P2和金属电极N2；所述电阻R1串联在所述金属电极P2上。LED芯片集成一个反向抗静电冲击保护结构，该保护结构由一个电阻和二极管正向构成，该结构可以保护LED芯片主芯片方向不会被高压静电打坏而失效。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213093206 U
(45)授权公告日 2021.04.30
(21)申请号 202022532016.0
(22)申请日 2020.11.05
(73)专利权人 无锡新仕嘉半导体科技有限公司
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