原创力文档- 29
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- 2023-03-02 发布于北京
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本实用新型涉及一种NMOS高侧驱动电路，特别是涉及一种含有微控制器的、用于直流电源开、关控制的NMOS高侧驱动电路。包括微控制器电路、光电隔离电路、升压驱动电路、NMOS管、辅助电源电路、被控直流电源和被控负载或用电装置。在这种控制中NMOS管相当于电源开关，NMOS管饱和导通相当于开关闭合，NMOS管截止相当于开关断开，而一般NMOS管饱和导通需要栅极电位高于源极电位4V甚至10V以上，现有技术一般需要使用专用驱动芯片或升压变压器提供这个驱动电压，本实用新型利用系统本身含有的微控制器及常见电阻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213094173 U
(45)授权公告日 2021.04.30
(21)申请号 202022443368.9
(22)申请日 2020.10.28
(73)专利权人 刘宝成
地址 02
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