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一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管.pdfVIP

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  • 2023-03-02 发布于北京
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一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管.pdf

    本实用新型提出了一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管，包括：第一导电类型的碳化硅衬底；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移区，设置于该衬底上；具有第二导电类型的电流分布层设置于该漂移区上；具有第一导电类型的第一阱区设置于该电流分布层上；具有第二导电类型的第二阱区设置于第一阱区上；具有第一导电类型的基区设置于第二阱区上；具有第二导电类型的第一接触源极区设置于基区并且与该发射极接触区相邻但相隔开；该发射极接触区、第一接触源极区与第二接触源极区；多个沟槽形成于基区并垂直延伸至漂移区中；栅极

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213124445 U (45)授权公告日 2021.05.04 (21)申请号 202020458163.5 (22)申请日 2020.04.01 (73)专利权人 成都蓉矽半导体有限公司

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