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- 2023-03-02 发布于北京
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本实用新型公开了一种等离子体处理装置。该装置包括反应腔室，还包括：上电极和下电极，上电极和下电极位于反应腔室内，上电极设置于反应腔室的顶部，下电极相对设置于反应腔室的底部；吸附结构，吸附结构位于反应腔室内，吸附结构设置于下电极的周围；调节单元，与吸附结构连接，用于调节吸附结构到反应腔室底部的距离。当等离子体处理装置进行刻蚀工艺时，调节单元增加吸附结构到反应腔室底部的距离，满足刻蚀工艺的需求。当等离子体处理装置进行沉积工艺时，调节单元减小吸附结构到反应腔室底部的距离，满足沉积工艺的需求。从而可以使
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213093171 U
(45)授权公告日 2021.04.30
(21)申请号 202022445061.2
(22)申请日 2020.10.28
(73)专利权人 乐金显示光电科技（中国）有限公
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