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一种Si基垂直LED芯片.pdfVIP

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  • 2023-03-02 发布于北京
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一种Si基垂直LED芯片.pdf

    本实用新型公开了一种Si基垂直LED芯片，从下往上依次包括第一衬底层、n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层、反射层、电流阻挡层、键合层、键合金属层和第二衬底层；其中，键合金属层为厚度比为0.15～0.2：1的Ni和Sn。能有效解决传统LED芯片研磨减薄后芯片严重翘曲，以至于造成芯片易破片良率低、效率低的问题，减轻LED芯片翘曲的程度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213124475 U (45)授权公告日 2021.05.04 (21)申请号 202020936172.0 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2

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