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一种整流半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-03-02 发布于四川
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一种整流半导体器件.pdf

    本发明涉及一种整流半导体器件。该器件包括第一到第四共四个金属基片、两个第一芯片和两个第二芯片、金属跳线和塑封体，其中：第一和第二金属基片的底部均为平面无凸点结构，并且分别向外延伸至塑封体外部以形成两直流输出端，第三和第四金属基片设置在塑封体内并且向外延伸至所述塑封体外部以形成两交流输入端，第一芯片采用N型衬底GPP芯片，而第二芯片采用P型衬底GPP芯片，其中一个第一芯片的P极和一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第三金属基片，而另一个第一芯片的P极和另一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213071112 U (45)授权公告日 2021.04.27 (21)申请号 202022078290.5 (22)申请日 2020.09.21 (73)专利权人 山东晶导微电子股份有限公司

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