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一种MOSFET终端结构.pdfVIP

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  • 2023-03-02 发布于四川
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一种MOSFET终端结构.pdf

    本实用新型公开了一种MOSFET终端结构，包括终端分压区，所述终端分压区内设有若干的沟槽，所述终端分压区的沟槽中靠近元胞区由内向外所述沟槽深度逐渐加深，沟槽间距逐渐增大。与一般沟槽MOS终端结构若干个分压沟槽等深度等间距排列相比，本实用新型对终端分压沟槽间距进行调整，优化电场分布，提升器件耐压。终端沟槽中靠近元胞区由内向外前几个沟槽深度逐渐加深，沟槽间距逐渐增大，将原本外部截止环沟槽的大电场，转移至内部分压沟槽处，从而提升整个器件的击穿电压。从仿真结果来看，对于100V产品，击穿电压能得到20％

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213071150 U (45)授权公告日 2021.04.27 (21)申请号 202022093479.1 (22)申请日 2020.09.22 (73)专利权人 上海格瑞宝电子有限公司

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