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- 2023-03-02 发布于四川
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本实用新型公开了一种eMCP芯片的交错堆叠结构,该结构在基板上设置有DRAM芯片,DRAM芯片上设置有3DNAND芯片,DRAM芯片和3DNAND芯片为垂直设置,通过该结构的设置,使得两个芯片之间能够节省中间假片,以增加芯片堆叠层数,进而增大容量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213071124 U
(45)授权公告日 2021.04.27
(21)申请号 202022172050.1
(22)申请日 2020.09.28
(73)专利权人 华天科技(南京)有限公司
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