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用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管.pdfVIP

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  • 2023-03-04 发布于四川
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用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管.pdf

    公开了一种用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管。该ESD防护结构，包括衬底，以及依次设置在衬底上的外延层、第一绝缘层、多晶硅层、第二绝缘层和两个电极，两个电极分别穿过第二绝缘层与多晶硅层连接，其中，多晶硅层为N型掺杂；多晶硅层中设有多个间隔设置的P型掺杂区，多个P型掺杂区沿某一电极朝向另一电极的方向排布，且P型掺杂区的底部位于多晶硅层中。本申请公开的ESD防护结构，通过在多晶硅层中形成多个深度小于多晶硅层厚度的P型掺杂区，不仅可以有效解决静电放电问题，而且还可以吸收栅源间的瞬间电压脉

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213184285 U (45)授权公告日 2021.05.11 (21)申请号 202021675343.5 (22)申请日 2020.08.12 (73)专利权人 北京锐达芯集成电路设计有限责

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