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外延结构及应用其的半导体芯片.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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外延结构及应用其的半导体芯片.pdf

    本实用新型公开一种外延结构及应用其的半导体芯片，该外延结构包括依次层叠设置的量子阱结构、P型接触层以及电极层；P型接触层包括呈台阶状设置的第一台阶部与第二台阶部，第二台阶部相对第一台阶部更靠近量子阱结构；第一台阶部与第二台阶部填充有第一绝缘部。通过上述方式，可以有效提高半导体芯片的抗灾变性光学镜面损伤值。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212654 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202021705512.5 (22)申请日 2020.08.13 (73)专利权人 深圳市中光工业技术研究院

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