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一种有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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一种有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极.pdf

    本实用新型公开了一种有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极，所述源漏电极为Ti/Al/Ni/Au/X五层金属叠层结构，Ti/Al/Ni/Au/X五层金属叠层结构为在GaN基HEMT器件的外延层上从下到上依次排布的Ti、Al、Ni、Au和X金属层，其中X为TiN、Ti、W或TiW中的一种以上。无需额外的光刻步骤，利用磁控溅射中沉积的金属X在剥离后会向两边扩散0.5μm～1μm，从而能够实现将下方的Ti/Al/Ni/Au完全包裹住，改善了退火后金属的形貌，提高了器件击穿电压。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213242557 U (45)授权公告日 2021.05.18 (21)申请号 201921313286.3 H01L 29/417 (2006.01) (22)申请日

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