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- 2023-03-05 发布于北京
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本实用新型实施例提供一种器件连接结构和半导体,涉及半导体技术领域。半导体包括器件连接结构,器件连接结构包括基板、器件和导体层,其中,多个器件分布在基板上,导体层覆盖在多个器件上,导体层与多个器件电连接,导体层上开设有至少一个镂空区,镂空区位于相邻的器件之间。器件连接结构和半导体能够使电流分配合理,减少电流的损耗,加快器件的反应时间,提高器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212160 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202022557088.0
(22)申请日 2020.11.06
(73)专利权人 泉芯集成电路制造(济南)有限公
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