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一种带有保护结构的SiC MOSFET器件.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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一种带有保护结构的SiC MOSFET器件.pdf

    本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种带有保护结构的SiCMOSFET器件，所述SiCMOSFET器件从边缘向中心依次包括终端区和划片槽区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上的源和栅的压块金属；所述栅跑道和所述源跑道之间集成了两个反向串联的肖特基二极管结构，作为器件的保护结构。本实用新型通过在芯片上集成温度保护结构，当器件的结温超过一定温度时能够触发保护结构，降低甚至短路器件的栅源电压，关断器件，从而保护了器件和电路。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212163 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202022073374.X (22)申请日 2020.09.21 (73)专利权人 芜湖启源微电子科技合伙企业

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