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一种沟槽型MOSFET器件.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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一种沟槽型MOSFET器件.pdf

    本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种沟槽型MOSFET器件，从下到上依次包括漏极、n+衬底、n+缓冲层、n‑漂移层、CSL层、p+埋层、p阱、p+区和n+区、栅介质、多晶硅栅、栅源隔离介质、源电极；器件的有源区有两类不同结构的原胞组成，其中一类原胞为MOSFET导电原胞A；另一类原胞为对沟槽栅结构进行电场屏蔽的原胞B，原胞B中p+埋层通过其上方的p+区与源极电联通；在平行于纸面方向，同一类原胞左右并联，在垂直于纸面的纵深方向，两类原胞交替排列，形成导电与屏蔽区域。本申请通过两类原胞的有序

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212168 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202022079187.2 (22)申请日 2020.09.21 (73)专利权人 倪炜江 地址 10

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