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一种850nm波段高响应度探测器.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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一种850nm波段高响应度探测器.pdf

    本实用新型涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种850nm波段高响应度探测器，其不同之处在于：其包括位于探测器最底端的n型衬底，所述n型衬底上由下至上依次包括氧化铝层、n型接触层、n型DBR层、下限制层、吸收层、上限制层、p型接触层和增透膜层，还包括n型电极层和p型电极层，所述n型电极层位于所述n型接触层上且位于所述n型DBR层的一侧，所述p型电极层位于p型接触层上且位于所述增透膜层的一侧。本实用新型提高响应速率，有助于抗辐照低暗电流高响应度探测器的实现。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212172 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202022611244.7 (22)申请日 2020.11.12 (73)专利权人 江

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