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- 2023-03-05 发布于北京
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一种基于磁聚集效应的磁场明暗栅装置,包括:磁体平台、磁场明暗栅组件和基板,磁体平台设置在磁场明暗栅组件顶部,基板设置在磁场明暗栅组件底部;磁场明暗栅组件包含:支撑框架、放大平台、支撑槽、高磁导率软磁隧尖;支撑槽滑动设置在支撑框架内,支撑槽水平设置,多个放大平台滑动设置在滑动槽内,放大平台底部设置高磁导率软磁隧尖。本实用新型的有益效果在于,通过高磁导率软磁隧尖将近似匀强的磁场强度聚集起来,形成一种稳定变化的高变化率磁场,使得磁敏电阻敏感到的磁场变化,在微弱的磁场变化下磁敏电阻的阻值会发生剧烈变化。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213240471 U
(45)授权公告日 2021.05.18
(21)申请号 202021082665.9
(22)申请日 2020.06.12
(73)专利权人 中北大学
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