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一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备.pdf

    本实用新型涉及半导体领域，公开一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构，包括：外延层；形成于所述外延层一侧的P+耐压区；位于所述P+耐压区两侧的第一多晶硅栅极层和第二多晶硅栅极层；形成于所述P+耐压区背离所述外延层一侧的多晶硅连接引线层，所述多晶硅连接引线层用于将所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层连接；形成于所述多晶硅连接引线层背离所述外延层一侧的二氧化硅层，在所述二氧化硅层设有连接孔，以使所述多晶硅连接引线层露出；形成于所述二氧化硅层背离所述外延层一侧的金属层，以实现所述金属

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212170 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202022753217.3 (22)申请日 2020.11.24 (73)专利权人 珠海格力电器股份有限公司

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