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LED 芯片制程 LED的发光原理 发光二极管是由Ⅲ - Ⅳ族化合物，如 GaAs （砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等 半导体制成的，其核心是 PN结。因此它具有一般 P-N 结的 I-N 特性，即正向导通，反向截 止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由 N 区注 入 P 区，空穴由 P 区注入 N 区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多