电路连接结构、器件和半导体.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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本实用新型实施例提供一种电路连接结构、器件和半导体,涉及半导体技术领域。电路连接结构包括第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和两个间隔设置的连接端,其中,第一金属层形成在两个连接端上、并与两个连接端电连接,第一绝缘层形成在第一金属层上,第一绝缘层上间隔设置有两个第一通孔,第二金属层形成在第一绝缘层上,第一金属层通过两个第一通孔与第二金属层电连接。电路连接结构能够减少制造步骤,还能够减小电路的电阻值和电流的损耗。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212159 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202022557841.6 (22)申请日 2020.11.06 (73)专利权人 泉芯集成电路制造(济南)有限公

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