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- 2023-03-05 发布于北京
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本申请公开了一种LED芯片，所述LED芯片在外延层的两侧设置有第一DBR层和第二DBR层，外延层产生的光线在第一DBR层和第二DBR层之间多次反射，使受激辐射不断增强，降低了外延层激发出的波长的分布宽度，最终具有窄半波宽的光线从第二DBR层出射，实现降低LED芯片出射的光线的半波宽的目的，使得最终出射的光线的波长范围集中在治疗的有效范围内，同时可以提升光疗仪的有效辐照强度。另外，所述第二DBR层中的第二类结构包括导电材料结构，使得第二DBR层具有一定的导电能力，在保证LED芯片的正常工作功能的基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212177 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202022735070.5
(22)申请日 2020.11.20
(73)专利权人 北京创盈光电医疗科技有限公司
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