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- 2023-03-05 发布于北京
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本实用新型涉及元器件芯片技术领域，且公开了一种以Ni‑Cu膜为基底的压电陶瓷频率元器件芯片，包括壳体和压电陶瓷频率元器件芯片本体，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体放置于壳体的内侧壁，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体的上端固定连接有第一Ni‑Cu膜层，所述第一Ni‑Cu膜层的上端固定包覆有第一Ag膜层，所述第一Ag膜层的上端固定连接有第一纳米抗氧化层，所述压电陶瓷频率元器件芯片本体的下端固定连接有第二Ni‑Cu膜层，所述第二Ni‑Cu膜层的下端固定包覆有第二Ag膜层，所述第二Ag膜层的下端固定连接有金
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212179 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202022688921.5
(22)申请日 2020.11.19
(73)专利权人 西安祥泰电器有限公司
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