电力电子技术MOSFE.pptxVIP

1-1;1-2;1-3;1-4;1-5;1-6;1-7;1-8;1-9;1-10;第十一页，共五十三页。;1-12;1-13;1-14;1-15;第十六页，共五十三页。;VDMOS的导通电阻组成 ;（一）VMOSFET： 保留MOSFET的优点，驱动功率小；吸收GTR优点，扩展功率，主要工艺： ①垂直导电结构；② N-漂移区；③双重扩散技术；;特点： ①VGS加电压后，形成反型层沟道，电流垂直流动。 ②漏极安装于衬底，可充分利用硅片面积 ③N-漂移区，提高耐压，降低CGD电容。 ④双重扩散可精确控制沟道长度。;1-20;1-21;对于COOLMOS结构，由于设置了相对P body浓度低一些的P region区域，所以P区一侧的耗尽区会大大扩展，并且这个区域深入EPI中，造成了PN结（b图的A结）两侧都能承受大的电压，就是把峰值电场Ec由靠近器件表面，向器件内部深入的区域移动了。形成的耐压（图中浅绿色的面积）就大了。当COOLMOS正向导通时，正向电流流通的路径，并没有因为设置了Pregion而受到影响。;1-23;第二十四页，共五十三页。;第二十五页，共五十三页。;（二）多元集成结构 将成千上万个单元MOSFET（单元胞）并联连接形成。 特点： ①降低通态电阻，有利于电流提高。 多元集成结构使每个MOSFET单元沟道长度大大缩短，并联后，沟道电阻大