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- 2023-03-08 发布于四川
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本实用新型公开了一种晶体生长装置,包括:外筒体、内筒体和坩埚,外筒体的内侧壁顶部设有台阶,内筒体设于外筒体内,内筒体上方设有斗笠状内罩,斗笠状内罩底部边缘设于外筒体的内侧壁顶部设置的台阶上,坩埚设于内筒体内,斗笠状内罩顶部设有内罩开口,内罩开口内设有籽晶杆,内罩开口顶端设有内罩盖板,籽晶杆顶端与内罩盖板下表面固定连接,籽晶杆底端延伸至坩埚内,坩埚底部外侧壁设有加热电阻丝,坩埚底部与内筒体内部之间形成的空腔内设有S形冷却管,坩埚底部与内筒体内部之间形成的空腔内还填充有保温砂;本方案可以使得晶体生长
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213327926 U
(45)授权公告日 2021.06.01
(21)申请号 202021246278.4
(22)申请日 2020.06.30
(73)专利权人 安徽中晶光技术股份有限公司
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