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- 2023-03-08 发布于四川
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本实用新型公开了一种类单晶生长炉，包括坩埚、盖板和挡气板。坩埚具有收容硅料的腔室，盖板盖设于坩埚，挡气板设于所述坩埚内，物料位于挡气板和坩埚底壁之间，挡气板的边缘具有导向部，导向部适于将气体从导向部的下方引导至导向部的上方。根据本实用新型的类单晶生长炉，通过在坩埚内设置具有导向部的挡气板，由此可以将坩埚内的气流导引至腔室的上部空间，从而可以避免杂质停留在籽晶的表面，从而可以改善籽晶的质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213327934 U
(45)授权公告日 2021.06.01
(21)申请号 202021648587.4 C30B 11/00 (2006.01)
(22)申请日 2
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