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- 2023-03-08 发布于四川
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本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板，形成于所述基板上的氮化铝层，形成于所述氮化铝层上的第一氮化铝镓层，形成于所述第一氮化铝镓层上的第二氮化铝镓层，形成于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓层，其中，所述第一氮化铝镓层的铝含量高于所述第二氮化铝镓层的铝含量。通过本实用新型提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213327795 U
(45)授权公告日 2021.06.01
(21)申请号 202022077406.3
(22)申请日 2020.09.21
(73)专利权人 深圳市晶相技术有限公司
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