覆盖钝化层的MOS控制整流器.pdfVIP

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2023-03-09 发布于四川
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覆盖钝化层的MOS控制整流器.pdf

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本实用新型提供一种覆盖钝化层的MOS控制整流器，包括阴极金属、重掺杂N型半导体衬底、N型半导体漂移区、P型半导体体区、重掺杂P型半导体接触区、重掺杂N型半导体接触区、SiO2层、多晶硅层、钝化层、孔、阳极金属，本实用新型充分的保护了栅极多晶硅不受打线时应力的影响，多晶硅不会碎裂，从而提高了器件的可靠性。因为提高了栅极多晶硅的可靠性，所以使得更多先进的器件打线方法被允许应用到本实用新型的结构中来。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213366606 U (45)授权公告日 2021.06.04 (21)申请号 202120803056.6 (22)申请日 2021.04.20 (73)专利权人成都蓉矽半导体有限公司