半导体器件.pdfVIP

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2023-03-10 发布于四川
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半导体器件.pdf

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本公开提供一种半导体器件，该半导体器件在沿沟槽栅结构的方向上，延伸至所述有源图案、所述隔离图案和所述沟槽栅结构内部的第二接触孔的孔径大于贯穿所述第一层间绝缘层的第一接触孔的孔径，使得位线结构与其两侧的接触孔侧壁之间具有足够的空间形成间隔物的同时，位线具有较大的线宽，降低工艺难度，并减少了器件的缺陷的产生。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213401205 U (45)授权公告日 2021.06.08 (21)申请号 202022828205.2 (22)申请日 2020.11.30 (73)专利权人福建省晋华集成电路有限公司