一种全耗尽型PIN光电二极管.pdfVIP

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2023-03-10 发布于四川
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一种全耗尽型PIN光电二极管.pdf

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本实用新型公开了一种全耗尽型PIN光电二极管，具体涉及半导体器件技术领域，其技术方案是：包括衬底材料和P型埋层，所述衬底材料上端离子注入所述P型埋层，所述P型埋层上端淀积外延层，所述外延层上端离子注入N型保护环和有源区，所述外延层上端淀积氮化硅层，所述氮化硅层内壁设有正面电极，所述衬底材料下端设有背面电极，所述衬底材料设置为低电阻率的N型硅材料，所述P型埋层与所述衬底材料之间形成PN结，本实用新型有益效果是：通过P型埋层与衬底材料之间形成PN结，减小扩散区面积，具有增加硅基光电二极管响应速度的作

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213401223 U (45)授权公告日 2021.06.08 (21)申请号 202022952421.8 (22)申请日 2020.12.11 (73)专利权人西安迈驰半导体科技有限公司