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一种半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-03-10 发布于北京
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一种半导体器件.pdf

    本实用新型提供一种半导体器件包括基板、辅助阴极和隔离层；所述辅助阴极设置在所述基板上；所述隔离层包括开槽，所述隔离层的开槽中设置有所述辅助阴极，所述开槽的底部宽度大于所述开槽的顶部宽度。上述技术方案可以提升阴极在工作时的稳定性，避免半导体器件(如显示面板)出现发光不均匀的现象(IR‑Drop现象)。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213425017 U (45)授权公告日 2021.06.11 (21)申请号 202022401518.X (22)申请日 2020.10.26 (73)专利权人 福

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