1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

硅外延基座结构及外延炉.pdfVIP

  • 20
  • 0
  • 约9.69千字
  • 约 10页
  • 2023-03-11 发布于四川
  • 举报

硅外延基座结构及外延炉.pdf

    本实用新型提供了一种硅外延基座结构及外延炉，涉及外延炉设备技术领域，包括基座，基座上设有用于容纳衬底的片坑，片坑内设有若干个用于向外周导送气体的排气槽，排气槽的外端延伸至片坑的外周边缘，排气槽的内端与片坑的轴线之间间隔设置。本实用新型提供的硅外延基座结构，在基座的片坑底部设置了若干个排气槽，放入衬底时能够在衬底和片坑间形成用于排出气流的导送通道，避免了衬底与片坑底面之间存在气体造成二者之间的相对滑动；排气槽的设置还增加了片坑表面的粗糙度，进一步降低了衬底在片坑内的滑动，提高了片坑内部温区分布的均

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213459698 U (45)授权公告日 2021.06.15 (21)申请号 202022939515.1 (22)申请日 2020.12.10 (73)专利权人 河北普兴电子科技股份有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >